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1.所要加工工件材質(zhì)及表面狀態(tài)，微弧氧化對(duì)鋁材要求不高，不管是含銅或是含硅的難以陽極氧化鋁合金，均可用于微弧氧化，且能得到理想膜層。表面狀態(tài)一般不需要經(jīng)過拋光處理，對(duì)于粗糙的表面，經(jīng)過微弧氧化，可修復(fù)的平整光滑；對(duì)于粗糙度低（即光滑）的表面，則會(huì)增加粗糙度。

2.電解液液體成分對(duì)氧化造成的影響較大，電解液成分是得到合格膜層的關(guān)鍵因素。微弧氧化液一般選用含有一定金屬或非金屬氧化物堿性鹽溶液，如硅酸鹽、磷酸鹽、硼酸鹽等。在相同的微弧電解電壓下，電解質(zhì)濃度越大，成膜速度就越快，溶液溫度上升越慢，反之，成膜速度較慢，溶液溫度上升較快。

3.相關(guān)電壓及電流的影響

擊穿電壓：工件表面剛剛產(chǎn)生微弧放電的電解電壓，不同的工件材質(zhì)，不同的液體配方，可使用擊穿電壓不同。不同的微弧氧化電壓，可得到不同的膜層性能，表面狀態(tài)和膜層厚度。

微弧氧化可采用控制電壓法或控制電流法進(jìn)行。

控制電壓法：在一定的陽極電壓下，使工件表面形成一定厚度的絕緣氧化膜層，然后增加電壓至一定值進(jìn)行陽極氧化。當(dāng)微弧氧化電壓剛剛達(dá)到控制值時(shí)，通常的氧化電流一般都較大，可達(dá)10A/dm2左右，隨著氧化時(shí)間的延長，陶瓷氧化膜不斷形成與完善，氧化電流逐漸減小，.后小于1A/dm2。
控制電流法：根據(jù)工件液體，計(jì)算出所需電流即可，此法比較簡單。如電解拋光現(xiàn)在即使用此法。

4.溫度的影響，溫度對(duì)于微弧氧化的影響

與陽極氧化不同，前者所需溫度范圍較寬。一般為10—90度。溫度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。且溫度高，會(huì)形成水氣。一般建議在20—60度。由于微弧氧化以熱能形式釋放，所以液體溫度上升較快，微弧氧化過程須配備容量較大的熱交換制冷系統(tǒng)以控制槽液溫度。

5.氧化時(shí)間對(duì)微弧氧化的影響，微弧氧化時(shí)間一般控制在10～60min。氧化時(shí)間越長，膜的致密性越好，但其粗糙度也增加。

6.陰極材料，陰極材料可選用不銹鋼，碳鋼，鎳等，可將上述材料懸掛使用或做成陰極槽體。

7.工件在進(jìn)行微弧氧化處理后可進(jìn)一步處理，微弧氧化過后，工件可不經(jīng)過任務(wù)處理直接使用，也可進(jìn)行封閉，電泳，拋光等后續(xù)處理。

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