很多偉大的發(fā)明都是從假設(shè)開(kāi)始的，下面要給大家介紹的是四川微弧氧化電源的電擊穿理論假設(shè)，一起來(lái)了解一下吧。

陽(yáng)極氧化電流由離子電流和電子電流共同組成，而其中離子電流是主要組成，其值遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于電子電流。因此，很容易聯(lián)想到電擊穿是由于離子電流的作用產(chǎn)生的。但是，離子電流機(jī)理一直沒(méi)有得到實(shí)驗(yàn)證實(shí)，成為早初被淘汰的理論假設(shè)。熱作用機(jī)理是由Young等 來(lái)的，理論認(rèn)為，界面膜層存在一臨界溫度Tm，當(dāng)膜層中的局部溫度超過(guò)Tm時(shí)，便產(chǎn)生電擊穿。溫度的變化是山氧化過(guò)程中產(chǎn)生的焦?fàn)枱嵋鸬?，因此稱之為熱作用機(jī)理。實(shí)際研究結(jié)果表明，只有當(dāng)電流密度超過(guò)一定的值(1 0mA/cn內(nèi)時(shí)，刁可能因焦?fàn)枱嶙饔脤?dǎo)致局部溫度發(fā)生顯著的變化，從而引起電擊穿。然而，熱作用機(jī)理只能定性解釋大電流密度時(shí)的電擊穿現(xiàn)象，對(duì)某些在小電流密度時(shí)產(chǎn)生的電擊穿現(xiàn)象無(wú)法解釋，而且一直沒(méi)有 定量的模型，仍有一待進(jìn)一步的發(fā)展和完善。Yahalom和Zahavi 了機(jī)械作用機(jī)理。他們認(rèn)為，電擊穿產(chǎn)生與否主要取決于氧化膜/電解液界面的性質(zhì)，雜質(zhì)離子的影響是次要的。氧化時(shí)，膜層厚度增加，造成膜層中壓應(yīng)力增大，于是產(chǎn)生裂紋，電流從裂紋處流過(guò)，而局部裂紋中流經(jīng)的大電流密度將導(dǎo)致電擊穿。此外，局部的大電流密度產(chǎn)生大量的焦耳熱，促進(jìn)膜層局部晶化，從而產(chǎn)生更多的裂紋或提高膜層的離子或電子導(dǎo)電性，有利于進(jìn)一步產(chǎn)生電擊穿。若存在雜質(zhì)離子，則更容易產(chǎn)生電擊穿。可惜的是，Yahalom和Zahavi也沒(méi)有 定量的理論模型，且不能完全解釋其他研究者的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象。

通過(guò)以上的介紹，您對(duì)于四川微弧氧化電源的電擊穿理論假設(shè)了解了多少呢？